Das Fundament der Mikroelektronik:
IC-Substrate (Packaging)
In der Welt der High-Performance-Elektronik sind IC-Substrate das unverzichtbare Bindeglied zwischen komplexen Halbleiterchips und der Standard-Leiterplatte. Wir liefern die fortschrittlichen Materialstrukturen und elektrischen Leitwege für modernste Flip-Chip- und Wire-Bonding-Prozesse.
mSAP & Feinstleiter
Durch den Einsatz des Modified Semi-Additive Process ermöglichen wir Leiterbahnbreiten bis zu 20 µm für eine beispiellose I/O-Dichte.
Flip-Chip & Wire Bonding
Präzise abgestimmt auf fortschrittliche Packaging-Methoden. Wir bieten maßgeschneiderte Trägerplatten (BGA, CSP) für Wire-Bonding und Flip-Chip.
BT-Harz Materialien
Bismaleimide Triazine (BT) bietet exzellente Dimensionsstabilität und thermischen Ausgleich zwischen dem Silizium-Die und der Hauptplatine.
Signalintegrität
Streng kontrollierte Materialauswahl und exaktes Routing garantieren höchste Effizienz bei der High-Speed-Datenübertragung.
Spezifikationen für IC-Substrate
| Technologie & Material | Spezifikation / Limit | Anmerkung |
|---|---|---|
| Lagenanzahl | 2 bis 10 Lagen | Spezialisiert für MCM und System-in-Package (SiP). |
| Verbindungstyp | Wire Bonding & Flip-Chip | Unterstützung für Gold/Kupfer-Drahtbonden & Bumping. |
| Basismaterial | BT (Bismaleimide Triazine) | Extrem niedriger CTE, passend zum Silizium-Die. |
| Feinstleiter (mSAP) | Advanced: 20 µm / 20 µm | Routing-Dichte weit jenseits klassischer PCBs. |
| Cu & Laser Vias | Kupfer: 9-15 µm | Vias: 50 µm | Ultradünnes Kupfer kombiniert mit Microvias. |
| Oberflächen | ENEPIG, Soft Gold (EPIG) | Branchenstandard für zuverlässiges Wire-Bonding. |